[发明专利]增强型开关器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810365883.4 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108807526B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州工业园区金鸡湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增强 开关 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种增强型开关器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，在所述衬底上依次形成氮化物成核层、氮化物缓冲层、氮化物沟道层、氮化物势垒层；
在所述氮化物势垒层上形成介质层，所述介质层上定义有栅极区域，所述介质层材质包括AlN；
在所述栅极区域上形成一向所述氮化物势垒层延伸的凹槽，所述凹槽部分贯穿所述介质层；
在所述凹槽内形成p型半导体材料；
在上述介质层上的非栅极区域刻蚀所述介质层，以形成两处欧姆接触区域；
在上述两处欧姆接触区域分别形成源电极和漏电极；
其中，在所述凹槽内形成p型半导体前，对所述栅极区域进行氧化处理，以将所述AlN转化为Al2O3或AlON。
2.根据权利要求1所述的增强型开关器件的制造方法，其特征在于，所述p型半导体材料选自p型金刚石、p型NiO、p型GaN或p型多晶GaN。
3.根据权利要求1所述的增强型开关器件的制造方法，其特征在于，在所述凹槽内形成p型半导体材料后，还包括在所述p型半导体材料上形成导电金属层。
4.根据权利要求1所述的增强型开关器件的制造方法，其特征在于，所述氮化物沟道层为非掺杂或n型掺杂。
5.根据权利要求4所述的增强型开关器件的制造方法，其特征在于，还包括在所述氮化物势垒层上形成氮化物冒层，所述氮化物冒层中的氮化物为氮化镓或铝镓氮。
6.根据权利要求1所述的增强型开关器件的制造方法，其特征在于，所述介质层包括氮化硅层、和/或二氧化硅层、和/或氮化铝层、和/或氮化铝硅层、和/或氧化铝层、和/或氧氮铝层、和/或氧化铪、和/或硅氧氮、和/或氧化铪铝。
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