[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括设置于第一有源区域的第一栅极结构，第一栅极结构包括第一介电层、第一侧壁阻挡层、p型功函数金属层、第二侧壁阻挡层、n型功函数金属层；以及设置于第二有源区域的第二栅极结构，第二栅极结构包括第二介电层、第一侧壁阻挡层、第二侧壁阻挡层、n型功函数金属层，通过在PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极结构中均形成第一侧壁阻挡层和第二侧壁阻挡层，可以改善n型功函数金属层和导电层中的金属扩散对半导体器件特性的影响。另外，通过对所述第一侧壁阻障层和所述第二侧壁阻障层与相邻层的功函数适配，可以优化半导体器件的功函数适配，从而降低阈值电压。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底，所述基底上具有第一有源区域和第二有源区域；设置于所述第一有源区域的第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一介电层、第一侧壁阻挡层、p型功函数金属层、第二侧壁阻挡层、n型功函数金属层；以及设置于所述第二有源区域的第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二介电层、第一侧壁阻挡层、第二侧壁阻挡层、n型功函数金属层；其中，所述第一介电层和所述第二介电层均包括高介电常数介电层。