[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810160330.5 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109119471B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 彦坂年辉;木村重哉;布上真也;藏口雅彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体装置及其制造方法，提供能够降低导通电阻的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3半导体区域。第1电极处于第2、第3电极之间。第1半导体区域包括Al |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极；第3电极，所述第3电极在第1方向上远离所述第2电极，所述第1电极的所述第1方向上的位置处于所述第2电极的所述第1方向上的位置与所述第3电极的所述第1方向上的位置之间；第1半导体区域，包括Alx1Ga1－x1N，其中所述x1大于0且为1以下，所述第1半导体区域包括在与所述第1方向交叉的第2方向上远离所述第1电极的第1部分区域、在所述第2方向上远离所述第2电极的第2部分区域以及在所述第2方向上远离所述第3电极的第3部分区域，所述第1部分区域的沿着所述第2方向的第1厚度比所述第2部分区域的沿着所述第2方向的第2厚度厚、并且比所述第3部分区域的沿着所述第2方向的第3厚度厚；第2半导体区域，包括Alx2Ga1－x2N，其中所述x2为0以上且小于1，所述x2小于所述x1，所述第2半导体区域包括在所述第2方向上位于所述第1电极与所述第1部分区域之间的第4部分区域、在所述第2方向上位于所述第2电极与所述第2部分区域之间的第5部分区域以及在所述第2方向上位于所述第3电极与所述第3部分区域之间的第6部分区域，所述第4部分区域的沿着所述第2方向的第4厚度比所述第5部分区域的沿着所述第2方向的第5厚度薄、并且比所述第6部分区域的沿着所述第2方向的第6厚度薄；以及第3半导体区域，包括Alx3Ga1－x3N，其中所述x3大于0且为1以下，所述x2小于所述x3，所述第3半导体区域包括在所述第2方向上位于所述第2电极与所述第5部分区域之间的第7部分区域以及在所述第2方向上位于所述第3电极与所述第6部分区域之间的第8部分区域。
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