[发明专利]半导体表面镀镍膜的方法在审
申请号: | 201810155593.7 | 申请日: | 2018-02-23 |
公开(公告)号: | CN110184563A | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 何际福 | 申请(专利权)人: | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
主分类号: | C23C14/02 | 分类号: | C23C14/02;C23C14/14;C23C14/34;C23C14/35 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 523087 *** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的半导体表面镀镍膜的方法,包括以下步骤:采用清洗剂对半导体的表面进行预清洗;采用离子束刻蚀对半导体的表面进行清洗;以及在半导体的表面上进行真空溅射沉积形成镍层。本发明在镍膜的形成过程中半导体晶片不会受到外力作用而发生破裂,从而提高半导体产品的成品率。 | ||
搜索关键词: | 半导体 半导体表面 镀镍 清洗剂 半导体产品 半导体晶片 离子束刻蚀 外力作用 真空溅射 成品率 预清洗 镍层 镍膜 沉积 清洗 破裂 | ||
【主权项】:
1.一种半导体表面镀镍膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:采用清洗剂对半导体的表面进行预清洗;采用离子束刻蚀对半导体的表面进行清洗;以及在半导体的表面上进行真空溅射沉积形成镍层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞新科技术研究开发有限公司,未经东莞新科技术研究开发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810155593.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类