[发明专利]包括沟槽的半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201810088622.2 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108054144B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | M.科托罗格亚;H-P.费尔斯尔;Y.加夫利纳;F.J.桑托斯罗德里古斯;H-J.舒尔策;G.赛贝特;A.R.施特格纳;W.瓦格纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王健;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包括沟槽的半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括在第一沟槽中包括第一栅电极的第一晶体管单元。所述半导体器件进一步包括在第二沟槽中包括第二栅电极的第二晶体管单元，其中第一和第二栅电极被电连接。所述半导体器件进一步包括第一和第二沟槽之间的第三沟槽，其中第三沟槽从半导体主体的第一侧比第一和第二沟槽更深地延伸到半导体主体中。所述半导体器件进一步包括第三沟槽中的覆盖第三沟槽的底侧和壁的电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 沟槽 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：形成在第一沟槽中包括第一栅电极的第一晶体管单元；形成在第二沟槽中包括第二栅电极的第二晶体管单元，其中第一和第二栅电极被电连接；在第一和第二沟槽之间形成第三沟槽，其中第三沟槽从半导体主体的第一侧比第一和第二沟槽更深地延伸到半导体主体中；在第三沟槽中形成覆盖第三沟槽的底侧和侧壁的电介质；以及通过引入掺杂剂通过以下中的至少一个来形成半导体区：（i）第一和第二沟槽的底侧，以及（ii）第三沟槽的底侧；其中，所述半导体区邻接相应沟槽的底侧，并且包括比漂移区更高的净掺杂浓度，所述漂移区邻接所述半导体主体的主体区的底侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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