[实用新型]倒置栅极结构的功率MOSFET有效
| 申请号： | 201721009526.1 | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN207381409U | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 杨文良;黄凤明;杨彦峰 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京久维律师事务所 11582 | 代理人： | 邢江峰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区梅林*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种倒置栅极结构的功率MOSFET，倒置栅极结构的功率MOSFET它包括其上设有源极、栅极和漏极的晶圆；本设计中，源极设置在所述晶圆的正面，漏极和栅极设置于晶圆的背面；本方法它包括a.晶圆正面源极的处理；b.晶圆背面栅极和漏极的处理两大步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 倒置 栅极 结构 功率 mosfet | ||
【主权项】：
1.一种倒置栅极结构的功率MOSFET，包括其上设有源极、栅极和漏极的晶圆；其特征在于：源极设置在所述晶圆的正面，漏极和栅极设置于晶圆的背面；所述源极上设有一电镀层或印刷有锡膏层；所述电镀层或印刷有锡膏层侧部的晶圆正面设有塑封层，与源极连接的电镀层或锡膏层裸露于塑封层外部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市芯电元科技有限公司，未经深圳市芯电元科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721009526.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种模具固定件及固定框
- 下一篇：一种智能电视墙控制台
- 同类专利
- 专利分类
