[实用新型]一种大功率槽栅门级T‑MOSFET结构有效
| 申请号： | 201720294819.2 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN206961833U | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张学强;张振中;和巍巍;汪之涵 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种大功率槽栅门级T‑MOSFET结构，包括P‑阱，槽栅门级，N+源区，源级，绝缘层，N‑漂移区，漏级，所述T‑MOSFET中槽栅门级的转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构。本实用新型所述的大功率槽栅门级T‑MOSFET结构设计降低了宽禁带材料T‑MOSFET槽栅门级结构的槽栅氧化层‑半导体界面等效曲率，进而大幅降低槽栅门级结构转角区域的最大电场强度，降低内部雪崩击穿的可能性，提高宽禁带材料T‑MOSFET槽栅门级结构和器件整体的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 栅门 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
一种大功率槽栅门级T‑MOSFET结构，包括P‑阱，槽栅门级，N+源区，源级，绝缘层，N‑漂移区，漏级，其特征在于，所述T‑MOSFET中槽栅门级的转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构。
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