[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201711486023.8 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994548B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底，衬底包括栅极区和位于所述栅极区两侧的源漏区，衬底上具有第一鳍部以及位于所述第一鳍部两侧的第二鳍部，第一鳍部和第二鳍部分别自栅极区一侧的源漏区贯穿至另一侧的源漏区；在衬底上形成隔离结构，隔离结构覆盖所述第一鳍部和第二鳍部部分侧壁，隔离结构表面低于所述第一鳍部顶部表面，且所述隔离结构表面低于所述第二鳍部顶部表面；形成隔离结构之后，去除所述隔离结构暴露出的栅极区第二鳍部；去除所述隔离结构暴露出的栅极区第二鳍部之后，形成横跨所述栅极区第一鳍部的栅极，所述栅极覆盖所述第一鳍部部分侧壁和部分顶部表面。所述形成方法能够改善半导体结构性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括栅极区和位于所述栅极区两侧的源漏区，所述衬底上具有平行排列的第一鳍部和第二鳍部，所述第二鳍部位于所述第一鳍部两侧，所述第一鳍部和第二鳍部分别自栅极区一侧的源漏区贯穿至另一侧的源漏区；在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述第一鳍部和第二鳍部部分侧壁，所述隔离结构表面低于所述第一鳍部顶部表面，且所述隔离结构表面低于所述第二鳍部顶部表面；形成所述隔离结构之后，去除所述隔离结构暴露出的栅极区第二鳍部；去除所述隔离结构暴露出的栅极区第二鳍部之后，形成横跨所述栅极区第一鳍部的栅极，所述栅极覆盖所述第一鳍部部分侧壁和部分顶部表面；在所述栅极两侧的第一鳍部中形成源漏掺杂层。
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