[发明专利]一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板有效
| 申请号： | 201711480196.9 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108269856B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 林振国;铃木浩司;谢志强;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/77;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 章兰芳 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法、基板阵列，第一薄膜晶体管包括基板、电容的第一极、电容绝缘层、作为栅极的电容的第二极、栅极绝缘层、氧化物有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极及搭接电极、钝化层、平坦层、阳极；其中刻蚀阻挡层形成第一过孔，刻蚀阻挡层与栅极绝缘层形成有第二过孔，刻蚀阻挡层、栅极绝缘层与电容绝缘层还形成有第三过孔；第一氧化物半导体薄膜晶体管的所述搭接电极与电容的第一极、作为栅极的电容的第二极及第二或第N氧化物薄膜晶体管的源级搭接。通过在底部增加额外的电容结构，并且通过设置搭接电极，省去一次光刻步骤，简化工序、降低成本，并且底部的电容结构作为光遮挡层，避免外部的环境光导致氧化物薄膜晶体管稳定性差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 半导体 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，设有第一氧化物半导体薄膜晶体管、第二氧化物半导体薄膜晶体管至第N氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：第一氧化物半导体薄膜晶体管包括基板、在基板上依次形成的电容的第一极、电容绝缘层、作为栅极的电容的第二极、栅极绝缘层、氧化物有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极及搭接电极、钝化层、平坦层、阳极；其中刻蚀阻挡层形成第一过孔，刻蚀阻挡层与栅极绝缘层形成有第二过孔，刻蚀阻挡层、栅极绝缘层与电容绝缘层还形成有第三过孔；第一氧化物半导体薄膜晶体管的所述搭接电极与电容的第一极、作为栅极的电容的第二极及第二或第N氧化物薄膜晶体管的源级搭接。
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