[发明专利]用于制造竖直半导体器件的方法和竖直半导体器件

摘要

生产竖直半导体器件，包括：提供半导体晶片，其包括第一导电类型的第一半导体层、与第一半导体层形成第一pn结的第二导电类型的第二半导体层以及与第二半导体层形成第二pn结并且延伸到晶片的主表面的第一导电类型的第三半导体层；在主表面上形成硬掩模，该硬掩模包括通过第一开口彼此间隔开的硬掩模部分；使用硬掩模蚀刻从主表面到第一层中的深沟槽，使得在主表面处由相应硬掩模部分覆盖的台面区域被形成在毗邻沟槽之间；填充沟槽和硬掩模的第一开口；以及蚀刻硬掩模以在台面的主表面处的硬掩模中形成第二开口。

主权项

1.一种垂直半导体器件，包括：半导体本体，具有后侧并且在外围区域中从所述后侧延伸到所述半导体本体的第一表面，所述半导体本体在有源区域中包括在竖直方向上从所述第一表面延伸到布置在所述第一表面上方的主表面的多个间隔开的半导体台面，在竖直截面中所述外围区域延伸在所述有源区域与边缘之间，所述边缘延伸在所述后侧与所述第一表面之间，在所述竖直截面中每个所述半导体台面包括第一侧壁、第二侧壁、延伸在所述第一侧壁与所述第二侧壁之间的第一pn结以及与所述半导体台面欧姆接触并且从所述主表面延伸到所述半导体台面中的导电区域；‑与所述半导体本体绝缘的多个栅极电极，每个所述栅极电极被布置在成对毗邻的半导体台面之间并且在所述竖直方向上跨所述毗邻的半导体台面的所述第一pn结延伸；以及‑被布置在所述后侧上的后侧金属化结构。