[发明专利]半导体器件制备工艺在审
| 申请号： | 201711329358.9 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108122838A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 程洁;高超;江红;沈惠平;熊磊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件制备工艺，包括：提供半导体基板，所述半导体基板包括具有器件结构的衬底及位于所述衬底表面上的层间介质层；在所述层间介质层表面形成图形化光阻；以所述图形化光阻为掩膜刻蚀所述层间介质层，暴露出所述衬底；刻蚀暴露出的所述衬底，形成沟槽；背面减薄所述衬底，形成多个晶粒。本发明中，在晶圆工艺完成后即可对晶圆完成切割，减小切割道的尺寸，形成更多个的晶粒，降低成本、提高效率。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 层间介质层 半导体器件制备 半导体基板 晶粒 刻蚀 表面形成图形 背面减薄 衬底表面 晶圆工艺 器件结构 图形化光 切割道 暴露 光阻 减小 晶圆 掩膜 切割 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制备工艺，其特征在于，包括：提供半导体基板，所述半导体基板包括具有器件结构的衬底及位于所述衬底表面上的层间介质层；在所述层间介质层表面形成图形化光阻；以所述图形化光阻为掩膜刻蚀所述层间介质层，暴露出所述衬底；刻蚀暴露出的所述衬底，形成沟槽；背面减薄所述衬底，形成多个晶粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
