[发明专利]铁电存储器件和制造其的方法有效
| 申请号： | 201711296456.7 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108511517B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘香根 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个实施例中，一种铁电存储器件包括具有源极区和漏极区的衬底。铁电存储器件包括铁电超晶格结构，该铁电超晶格结构设置在衬底上，且具有交替堆叠的至少两种不同的介电层。此外，铁电存储器件包括设置在超晶格结构上的栅电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电存储器件，包括：衬底，具有源极区和漏极区；超晶格结构，设置在衬底上，以及具有交替堆叠的至少两种不同的介电层；以及栅电极层，设置在超晶格结构上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711296456.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
