[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201711290808.8 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108987473A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 吴政宪;陈奕升 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 结构包括：衬底，包括第一半导体材料；介电部件，嵌入在衬底中；以及第二半导体材料，嵌入在衬底中，第二半导体材料与第一半导体材料具有晶格失配，第二半导体材料具有两个上侧壁和两个下侧壁，两个上侧壁与介电部件接触，两个下侧壁与衬底接触，两个下侧壁非垂直于衬底的顶面，介电部件的最底部分低于两个下侧壁的最顶部分。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 下侧壁 衬底 介电部件 半导体结构 上侧壁 嵌入 衬底接触 晶格失配 非垂直 顶面 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：衬底，包括第一半导体材料；介电部件，嵌入在所述衬底中；以及第二半导体材料，嵌入在所述衬底中，所述第二半导体材料与所述第一半导体材料具有晶格失配，所述第二半导体材料具有两个上侧壁和两个下侧壁，所述两个上侧壁与所述介电部件接触，所述两个下侧壁与所述衬底接触，所述两个下侧壁非垂直于所述衬底的顶面，所述介电部件的最底部分低于所述两个下侧壁的最顶部分。
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