[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201711229048.X | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108122585B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 冈山昌太 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，其解决在将电压设定表存储于非易失性存储器的存储器区域的情况下该区域会增大的课题。半导体器件具备存储器装置、和控制所述存储器装置的控制装置。所述存储器装置由非易失性存储器元件构成，具备存储改写所需的设定信息的存储器、具有第一寄存器及改写结束标志的第一控制电路、和生成改写电压的电源电路。所述控制装置具备具有改写开始标志的第二控制电路、基于所述改写开始标志及所述改写结束标志来测量改写电压施加时间的计数器、基于所述改写电压施加时间来存储下一改写电压的第二寄存器。所述控制装置在接收到改写所述存储器的指令的情况下，读出所述存储器内的改写所需的设定信息，对所述第一寄存器进行回写。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具备：存储器装置；以及控制所述存储器装置的控制装置，所述存储器装置具备：存储器，其由非易失性存储器元件构成，保存改写所需的设定信息；第一控制电路，其具有第一寄存器及改写结束标志；以及电源电路，其生成改写电压，所述控制装置具备：第二控制电路，其具有改写开始标志；计数器，其基于所述改写开始标志及所述改写结束标志，测量改写电压施加时间；第二寄存器，其基于所述改写电压施加时间，保存下一改写电压，所述控制装置在接收到改写所述存储器的指令的情况下，从所述存储器读出改写所需的设定信息，并对所述第一寄存器进行回写。
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