[发明专利]一种硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711034834.4 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN107833923A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 李海鸥;王博;邹锋;刘洪刚;高喜;李琦;蒋振荣;张法碧;陈永和;肖功利;李跃 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学;桂林斯壮微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/20;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司11429 | 代理人： | 石燕妮 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III‑V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；该制备方法包括步骤，首先在单晶硅衬底上设置第一键合片；然后在III‑V族半导体外延衬底上依次沉积背栅介质层的材料层、背栅电极的材料层、在隔离层、第二键合片；将第一键合片和所述第二键合片键合在一起，形成介质键合层；然后再成形、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极。采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III‑V族CMOS技术要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingaas 沟道 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件，其特征在于：包括由下至上依次叠置的单晶硅衬底(101)、介质键合层(102)、隔离层(103)、背栅电极(104)、背栅介质层(105)、背栅界面控制层(106)、InGaAs沟道层(107)、上界面控制层(108)；所述上界面控制层(108)上表面的两侧均叠置有III‑V族半导体源漏层(109)；所述III‑V族半导体源漏层(109)的上表面设置有源漏金属层(110)；所述上界面控制层(108)上表面两侧的III‑V族半导体源漏层(109)之间设置有顶栅介质层(111)，所述顶栅介质层(111)下表面与上界面控制层(108)连接，所述顶栅介质层(111)的侧面与III‑V族半导体源漏层(109)连接；所述顶栅介质层(111)上叠置有顶栅电极(112)；所述顶栅电极(112)为倒T型，所述顶栅电极(112)位于顶栅介质层(111)上表面的中间位置。
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