[发明专利]半导体功率元件有效
| 申请号： | 201710999914.7 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109698229B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 颜诚廷;洪建中;李传英 | 申请（专利权）人： | 上海瀚薪科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;田喜庆 |
| 地址： | 201703 上海市青浦区沪青平公*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体功率元件，包括一n型漂移层、复数个第一p型掺杂区域、复数个n型掺杂区域、复数个第二p型掺杂区域、一栅极介电层、一栅电极、一层间介电层以及复数个源极接触，该第一p型掺杂区域包括一第一p型掺杂部以及复数个自该第一p型掺杂部向外延伸的第一p型掺杂支臂，且该n型掺杂区域包括一n型掺杂部以及复数个自该n型掺杂部向外延伸的n型掺杂支臂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率元件，其特征在于包含有：一n型漂移层；复数个设置在该n型漂移层的第一p型掺杂区域，该第一p型掺杂区域包括一第一p型掺杂部以及复数个自该第一p型掺杂部向外延伸的第一p型掺杂支臂；复数个设置在该第一p型掺杂区域内的n型掺杂区域，该n型掺杂区域包括一n型掺杂部以及复数个自该n型掺杂部向外延伸的n型掺杂支臂；复数个相邻于该第一p型掺杂区域的第二p型掺杂区域；一设置在该n型漂移层上的栅极介电层；一设置在该栅极介电层上的栅电极；一设置在该栅极介电层与该栅电极上的层间介电层；以及复数个穿过该层间介电层与该栅极介电层而与部分该n型掺杂部与该第二p型掺杂区域形成一欧姆接触的源极接触。
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