[发明专利]屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法，包括硅衬底；外延层；深沟槽，形成于所述外延层中；场板氧化层，形成于所述深沟槽表面；场板多晶硅，形成于所述深沟槽中且距所述外延层顶面具有目标深度，所述深沟槽上部侧壁的场板氧化层被去除；栅氧层；氧化层，形成于露出的所述场板多晶硅上；栅极多晶硅，填充于所述深沟槽中；体区，形成于所述外延层中；源区，形成于所述体区中；介质层，所述介质层中形成有源端和栅端；以及漏端，形成于所述硅衬底背面。本发明结构紧凑，器件性能优越，具有适当的输入电容；本发明实现方法简单，降低了制造成本；本发明的制造方法具有很高的稳定性，降低了制造难度，具有很高的可重复性和生产良率。

主权项

一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件，其特征在于，包括：硅衬底；外延层，形成于所述硅衬底上；深沟槽，形成于所述外延层中；场板氧化层，形成于所述深沟槽表面；场板多晶硅，形成于所述深沟槽中且距所述外延层顶面具有目标深度，所述深沟槽上部侧壁的场板氧化层被去除以至少露出部分的所述场板多晶硅；栅氧层，形成于所述深沟槽上部侧壁；氧化层，形成于露出的所述场板多晶硅上，用于栅极多晶硅和场板多晶硅之间的隔离；栅极多晶硅，填充于所述场板氧化层之上的所述深沟槽中；体区，形成于所述外延层中；源区，形成于所述体区中；介质层，形成于所述外延层上，所述介质层中形成有源区接触孔及栅极接触孔，所述源区接触孔和栅极接触孔填充有金属层以形成源端和栅端；以及漏端，形成于所述硅衬底背面。