[发明专利]一种横向功率器件的高压互连结构有效
| 申请号： | 201710896043.6 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107863387B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 李曼;都灵;郭宇锋;杨可萌;张瑛;杨磊;潘志刚 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 武政 |
| 地址： | 226001 江苏省南通市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种横向功率器件的高压互连结构，它在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘体区域，利用该区域来调制高压互连线引起的表面电场分布，大大增强了器件在具有高压互连线时的耐压能力，提高了器件的性能。本发明可用于横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT，工艺简单，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 功率 器件 高压 互连 结构 | ||
【主权项】：
一种横向功率器件的高压互连结构，包括位于最下方的衬底(1)，位于衬底(1)上方的外延层(2)；所述外延层(2)包括：位于顶部一侧的半导体漏区(5)、位于另一侧的半导体体区(6)、以及位于所述半导体漏区(5)和半导体体区(6)之间的漂移区；所述半导体体区(6)中具有半导体源区(8)和半导体体接触区(7)；同时与所述半导体源区(8)和半导体体接触区(7)接触的是源极金属(11)；与半导体漏区(5)接触的是漏极金属(12)；半导体体区(6)表面分别和半导体源区(8)以及漂移区接触的是栅氧化层(9)，栅氧化层(9)上方的是栅极金属(10)；一头与漏极金属(12)相连的是高压互连金属线(15)，隔绝所述高压金属互连线(15)的是绝缘介质层(13)，其特征在于：所述漂移区由半导体区域(3)、绝缘介质层(13)以及同时处于绝缘介质层(13)和高压互连金属线(15)二者正下方的高K绝缘体区域(4)构成。
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