[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710778300.6 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN109427544B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 朱占魁;张芳余;史运泽;赵鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底，包括第一区和第二区；以及在所述第一区上用于第一器件的第一栅极结构；在所述衬底结构的表面上形成刻蚀保护层；在所述第二区上方的刻蚀保护层上形成掩模层，所述掩模层包含聚合物；执行干法刻蚀，以使得所述第一栅极结构两侧的第一区被刻蚀以形成第一凹陷，并使得所述第一栅极结构的表面上的刻蚀保护层被去除；去除所述掩模层，以形成半导体结构；利用光对所述半导体结构进行照射；执行湿法刻蚀，以将所述第一凹陷形成为第二凹陷。本申请可以减小聚合物的残留对器件性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底，包括第一区和第二区；以及在所述第一区上用于第一器件的第一栅极结构；在所述衬底结构的表面上形成刻蚀保护层；在所述第二区上方的刻蚀保护层上形成掩模层，所述掩模层包含聚合物；执行干法刻蚀，以使得所述第一栅极结构两侧的第一区被刻蚀以形成第一凹陷，并使得所述第一栅极结构的表面上的刻蚀保护层被去除；去除所述掩模层，以形成半导体结构；利用光对所述半导体结构进行照射；执行湿法刻蚀，以将所述第一凹陷形成为第二凹陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
