[发明专利]在形成半导体装置后形成衬底穿孔(TSV)及金属化层的方法在审
| 申请号： | 201710659749.0 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107689342A | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | H·S·卡米内尼;V·K·卡米内尼;D·史密斯;M·利皮特 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在形成半导体装置后形成衬底穿孔(TSV)及金属化层的方法，所揭示的一种示例方法包括除其它以外，在半导体衬底上方形成半导体装置，形成至该半导体装置的装置层级接触，以及在形成该装置层级接触以后，执行至少一个共同制程操作，以形成位于该衬底中的沟槽中的衬底穿孔(TSV)、与该TSV导电耦接的TSV接触结构，以及与该装置层级接触导电耦接的导电金属化元件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 装置 衬底 穿孔 tsv 金属化 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在半导体衬底上方形成半导体装置；形成至该半导体装置的装置层级接触；以及在形成该装置层级接触以后，执行至少一个共同制程操作，以形成位于该衬底中的沟槽中的衬底穿孔(TSV)、与该TSV导电耦接的TSV接触结构，以及与该装置层级接触导电耦接的导电金属化元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
