[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710448950.4 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109087891B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：基底第一区中和第二区中分别对应具有第一掺杂区和有阻挡离子的第二掺杂区；在第一掺杂区和第二掺杂区的表面形成第一金属层；进行第一退火，使第一金属层分别和第一源漏掺杂区表面材料和第二源漏掺杂区表面材料反应，对应形成第一初始金属硅化物层和有阻挡离子的第二金属硅化物层；在第一初始金属硅化物层和第二金属硅化物层的表面形成与第一金属层材料不同的第二金属层；进行第二退火，第二退火采用的温度小于第一退火采用的温度，第二金属层原子扩散至第一初始金属硅化物层而形成第一金属硅化物层，使得阻挡离子阻挡第二金属层的原子扩散进入第二金属硅化物层中。所述方法简化了工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，基底第一区中具有第一掺杂区，基底第二区中具有第二掺杂区，第二掺杂区中掺杂有阻挡离子；在第一掺杂区表面和第二掺杂区表面形成第一金属层；进行第一退火，使第一掺杂区表面的第一金属层和第一掺杂区表面材料反应形成第一初始金属硅化物层，使第二掺杂区表面的第一金属层和第二掺杂区表面材料反应形成具有阻挡离子的第二金属硅化物层；在第一初始金属硅化物层表面和第二金属硅化物层表面形成第二金属层，第二金属层和第一金属层的材料不同；进行第二退火，第二退火采用的温度小于第一退火采用的温度，第一初始金属硅化物层表面的第二金属层原子扩散至第一初始金属硅化物层中而形成第一金属硅化物层，使得第二金属硅化物层中的阻挡离子阻挡第二金属层的原子扩散进入第二金属硅化物层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710448950.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
