[发明专利]新型的增强注入器件IEGT在审
| 申请号： | 201710421632.9 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107316902A | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 孙向东;谈益民 | 申请（专利权）人： | 无锡罗姆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 | 代理人： | 秦昌辉 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型的增强注入器件IEGT，包括n‑型漂移区，n‑型漂移区的下方设置有n+型场阻止层，n+型场阻止层的下方设置有p+型集电极区，p+型集电极区的下方设置有与p+型集电极区连接的集电极；n‑型漂移区的上方间隔设置有基极区和栅极，基极区表面的左右两侧设有n+型发射区，n+型发射区和基极区上方设有与n+型发射区连接的发射极，栅极的外侧面上设置有栅绝缘层。本发明的新型的增强注入器件IEGT通态电压低。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 增强 注入 器件 iegt | ||
【主权项】：
一种新型的增强注入器件IEGT，其特征在于：包括n‑型漂移区，所述n‑型漂移区的下方设置有n+型场阻止层，所述n+型场阻止层的下方设置有p+型集电极区，所述p+型集电极区的下方设置有与p+型集电极区连接的集电极；所述n‑型漂移区的上方间隔设置有基极区和栅极，所述基极区表面的左右两侧设有n+型发射区，所述n+型发射区和基极区上方设有与所述n+型发射区连接的发射极，所述栅极的外侧面上设置有栅绝缘层。
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