[发明专利]沟槽栅超结器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710388218.2 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107331706B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 范让萱;缪进征 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅超结器件，包括：超结结构的第二导电类型柱由填充于形成于第一导电类型外延层中的超结沟槽中的第二导电类型外延层组成；沟槽栅的栅极沟槽为通过对超结沟槽顶部的第二导电类型外延层进行回刻形成，使得栅极沟槽和超结沟槽呈自对准结构，沟槽栅和第二导电类型柱呈自对准结构，从而消除沟槽栅对超结结构的步进的影响。本发明还公开了一种沟槽栅超结器件的制造方法。本发明能缩小超结结构的步进尺寸，能节省一层栅极沟槽对应的光罩，从而能降低成本，能降低器件的正向导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅超结 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽栅超结器件，其特征在于，包括：由交替排列的第二导电类型柱和第一导电类型柱组成的超结结构，所述第二导电类型柱由填充于形成于第一导电类型外延层中的超结沟槽中的第二导电类型外延层组成，所述第一导电类型柱由各所述第二导电类型柱之间的所述第一导电类型外延层组成；沟槽栅包括形成于栅极沟槽的侧面的栅介质层和形成于所述栅极沟槽底部表面的底部介质层以及填充于所述栅极沟槽中的多晶硅栅；所述栅极沟槽为通过对所述超结沟槽顶部的所述第二导电类型外延层进行回刻形成，使得所述栅极沟槽和所述超结沟槽呈自对准结构，所述沟槽栅和所述第二导电类型柱呈自对准结构，从而消除所述沟槽栅对所述超结结构的步进的影响。
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