[发明专利]半导体结构的制作方法有效
| 申请号： | 201710386009.4 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN108962727B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王士京 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体结构的制作方法，包括：提供前端结构，所述前端结构包括依次形成的第一掩膜层、氧化层及第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出部分氧化层；在所述氧化层和第二掩膜层上形成有机平坦化层；在所述有机平坦化层上形成图案化的光刻胶；以所述图案化的光刻胶为掩膜，进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀分两步进行，暴露出所述部分氧化层和所述第二掩膜层；进行第二次刻蚀，以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀氧化层，暴露出部分第一掩膜层。于是通过分两步进行的第一次刻蚀，使得有机平坦化层刻蚀出来的侧面垂直度高，并且尽可能的避免刻蚀附着物的形成，从而在第二次刻蚀后，能够确保掩膜图案精确的传递至氧化层中。由此提高制得器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供前端结构，所述前端结构包括依次形成的第一掩膜层、氧化层及第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出部分氧化层；在所述氧化层和第二掩膜层上形成有机平坦化层；在所述有机平坦化层上形成图案化的光刻胶；以所述图案化的光刻胶为掩膜，进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀分两步进行，暴露出所述部分氧化层和所述第二掩膜层；以及进行第二次刻蚀，以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀氧化层，暴露出部分第一掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
