[发明专利]具有减小的饱和电压的竖直沟道半导体器件有效
| 申请号： | 201710386000.3 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN108010963B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | F·G·门塔;S·皮萨诺 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有减小的饱和电压的竖直沟道半导体器件。一种竖直沟道半导体器件，包括：半导体本体，半导体本体包括：具有第一导电类型的衬底以及具有第二导电类型的前层；第一部分沟槽以及第二部分沟槽；以及在第一和第二部分沟槽内的相应的导电区域和相应的绝缘层。第一和第二部分沟槽横向地界定第一半导体区域和第二半导体区域，第一半导体区域的最大宽度比第二半导体区间的最大宽度更大。器件进一步包括具有第一导电类型的发射极区域，发射极区域在前层中延伸并且包括：完整部分，完整部分在第二半导体区域中延伸；以及环形部分，环形部分在第一半导体区域中延伸。环形部分横向地环绕具有第二导电类型的顶部区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 饱和 电压 竖直 沟道 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种竖直沟道半导体器件，包括：-半导体本体(4)，所述半导体本体包括具有第一导电类型的衬底(6)以及具有第二导电类型的前层(12)，所述半导体本体由前表面(Ssup )所界定；以及-至少一个第一部分沟槽(16a，16b)以及一个第二部分沟槽(16c)，所述第一部分沟槽以及第二部分沟槽在所述半导体本体内从所述前表面开始延伸；在所述第一和第二部分沟槽中的每一个内，所述半导体器件进一步包括：-相应的导电区域(40)以及环绕所述导电区域并与所述前层接触的相应的绝缘层(38)；并且其中，所述第一和第二部分沟槽横向地界定第一半导体区域(32)和第二半导体区域(34)，所述第一半导体区域的最大宽度(wMAX )比所述第二半导体区间的最大宽度(wMIN )更大；所述半导体器件进一步包括具有所述第一导电类型的第一发射极区域(50)，所述发射极区域从所述前表面开始延伸进入所述前层中并且包括：-所述第一和第二部分沟槽之间的完整部分(51)，所述完整部分在所述第二半导体区域中延伸；以及-环形部分(53)，所述环形部分在所述第一半导体区域中延伸，与所述完整部分并且与所述第一和第二部分沟槽的所述绝缘层接触，所述环形部分横向地环绕具有所述第二导电类型的顶部区域(12，57)。
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