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[发明专利]垂直沟道半导体器件的制造工艺和垂直沟道半导体器件-CN202310363591.8在审
发明人： S·亚马拉;F·G·门塔;S·皮萨诺 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本公开涉及垂直沟道半导体器件的制造工艺和垂直沟道半导体器件。本公开涉及一种垂直沟道半导体器件。为了制造垂直沟道半导体器件，从具有第一侧和沿一个方向与第一侧相对的第二侧的工作晶片开始，在工作晶片中在工作晶片的第二侧形成第一掺杂区。工作晶片具有第一导电类型和第一掺杂等级，第一掺杂区具有第一导电类型和高于第一掺杂等级的第二掺杂等级。在工作晶片的第一侧上，在工作晶片中形成具有在该方向上延伸的沟道区的器件有源区。第一掺杂区和器件有源区在工作晶片中限定漂移区。在器件有源区之前形成第一掺杂区。
垂直沟道半导体器件制造工艺

[发明专利]具有减小的饱和电压的竖直沟道半导体器件-CN201710386000.3有效
发明人： F·G·门塔;S·皮萨诺 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及具有减小的饱和电压的竖直沟道半导体器件。一种竖直沟道半导体器件，包括：半导体本体，半导体本体包括：具有第一导电类型的衬底以及具有第二导电类型的前层；第一部分沟槽以及第二部分沟槽；以及在第一和第二部分沟槽内的相应的导电区域和相应的绝缘层。第一和第二部分沟槽横向地界定第一半导体区域和第二半导体区域，第一半导体区域的最大宽度比第二半导体区间的最大宽度更大。器件进一步包括具有第一导电类型的发射极区域，发射极区域在前层中延伸并且包括：完整部分，完整部分在第二半导体区域中延伸；以及环形部分，环形部分在第一半导体区域中延伸。环形部分横向地环绕具有第二导电类型的顶部区域。
具有减小饱和电压竖直沟道半导体器件

[实用新型]竖直沟道半导体器件-CN201720603731.4有效
发明人： F·G·门塔;S·皮萨诺 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及竖直沟道半导体器件。一种竖直沟道半导体器件，包括：半导体本体，半导体本体包括：具有第一导电类型的衬底以及具有第二导电类型的前层；第一部分沟槽以及第二部分沟槽；以及在第一和第二部分沟槽内的相应的导电区域和相应的绝缘层。第一和第二部分沟槽横向地界定第一半导体区域和第二半导体区域，第一半导体区域的最大宽度比第二半导体区间的最大宽度更大。器件进一步包括具有第一导电类型的发射极区域，发射极区域在前层中延伸并且包括：完整部分，完整部分在第二半导体区域中延伸；以及环形部分，环形部分在第一半导体区域中延伸。环形部分横向地环绕具有第二导电类型的顶部区域。
半导体区域沟道半导体器件竖直第一导电类型半导体本体发射极区域导电类型前层延伸绝缘层本实用新型最大宽度比导电区域顶部区域沟槽横向衬底界定半导体环绕