[发明专利]一种非均匀栅长GaNHEMT栅极结构及器件在审
| 申请号： | 201710356537.5 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107195673A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;李百泉;倪炜江;张敬伟;李明山;牛喜平;孙安信 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张永革 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了本发明中的GaN HEMT器件叉指栅极结构，器件单元由单栅极或者多栅叉指结构构成，栅条的栅长为非均匀栅长结构，以有效调节器件栅极中心区域的电流密度，使得中心区域的电流密度较低，从而自热效应产生的热量也较低，利于整个器件有源区域的热平衡。减轻和防止器件中心区域的热集中效应导致栅极中心区域的高温提前失效。有助于大功率器件的失效和高温可靠性的增长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 ganhemt 栅极 结构 器件 | ||
【主权项】：
一种GaN HEMT器件的栅极结构，所述器件的栅极、源极和漏极采用叉指结构；其特征在于，所述叉指结构中不同位置栅极的长度不相等，通过栅极尺寸变化对2DEG电子气密度的控制和调节来实现电流密度和热分布的调控；使得整个器件有缘区域温度尽量均衡分布。
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