[发明专利]等离子体活化保形电介质膜沉积有效
| 申请号： | 201710347032.2 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107342216B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 尚卡尔·斯娃米纳森;乔恩·亨利;丹尼斯·M·豪斯曼;普拉莫德·苏布拉莫尼姆;曼迪亚姆·西里拉姆;维什瓦纳坦·兰加拉詹;基里斯·K·卡特提格;巴特·J·范施拉芬迪克;安德鲁·J·麦克罗 | 申请（专利权）人： | 诺发系统公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/762;H01L21/768;C23C16/04;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/56;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了等离子体活化保形电介质膜沉积。本发明提供了在衬底表面上沉积膜的方法，其包括表面介导反应，在该反应中经过反应物的吸附和反应的一个或多个循环所述膜进行生长。在一个方面中，该方法的特征在于，在吸附和反应的循环之间，间歇性输送掺杂剂物质到膜。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 活化 电介质 沉积 | ||
【主权项】：
一种在反应室中的非平坦的衬底表面上沉积膜的方法，所述方法包括：在非等离子体条件下将第一反应物引入所述反应室，使得所述第一反应物吸附在所述非平坦的衬底表面上；在非等离子体条件下将含掺杂剂的材料引入所述反应室；以及随后将所述非平坦的衬底表面暴露于等离子体以形成与所述非平坦的衬底表面共形的掺杂膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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