[发明专利]一种带有反并联二极管的双向TVS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710346858.7 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108417613A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 蒋骞苑;苏海伟;赵德益;赵志方;张啸;王允;冯星星 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 韩国辉 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带有反并联二极管的双向TVS器件及其制备方法，包括一P型硅衬底，所述P型硅衬底正面均设有N型掺杂区域和P型掺杂区域，所述P型硅衬底正面的N型掺杂区域做金属引出，所述P型硅衬底背面的N型掺杂区域和P型掺杂区域做互连金属引出；所述P型硅衬底背面的N型掺杂区域和P型掺杂区域间距大于等于零。本发明的器件结构对于保护下一级OVP电路具有更加优秀的性能，由于N+浓度较低使其具有超低的电容，这大大提高了TVS器件对信号的响应速度，可以应用在保护高频数据接口电路上。该结构的超低漏电流对器件自身的耗电和散热优势明显。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 反并联二极管 衬底正面 制备 高频数据 互连金属 接口电路 器件结构 电容 超低的 漏电流 耗电 散热 电路 金属 响应 应用 | ||
【主权项】：
1.一种带有反并联二极管的双向TVS器件，其特征在于，包括一P型硅衬底，所述P型硅衬底正面均设有N型掺杂区域和P型掺杂区域，所述P型硅衬底正面的N型掺杂区域做金属引出，所述P型硅衬底背面的N型掺杂区域和P型掺杂区域做互连金属引出；所述P型硅衬底背面的N型掺杂区域和P型掺杂区域间距大于等于零。
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