[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201710335730.0 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN106935660B | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 刘凤娟;宋泳锡;孙宏达 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/12 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出了薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。该方法包括:在基板的一侧依次形成缓冲层和图形化后的源漏电极;在缓冲层和源漏电极的远离基板的一侧,形成光刻胶层;从基板远离光刻胶层的一侧,对光刻胶层进行曝光和显影处理,以得到光刻胶图案;在缓冲层和光刻胶图案的远离基板的一侧,依次形成半导体层、第一绝缘层和导电层;去除光刻胶层,以获得有源层、栅极绝缘层和栅极;其中,基板和缓冲层由透光材料形成。本发明所提出的制作方法,通过背面曝光光刻胶层的方式,可省去一次光掩模,简化工序、降低制作成本,且制备的薄膜晶体管直接利用金属作为源漏导电区域,无需额外的导电化技术,解决了源漏电极导电化效果稳定性差的问题。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种制作薄膜晶体管的方法,其特征在于,包括:在基板的一侧依次形成缓冲层和图形化后的源漏电极,且所述源漏电极不被紫外线穿过;在所述缓冲层和源漏电极的远离所述基板的一侧,形成光刻胶层,且所述光刻胶层由正性光刻胶形成;从所述基板远离所述光刻胶层的一侧,对所述光刻胶层进行曝光和显影处理,以得到光刻胶图案;在所述缓冲层和所述光刻胶图案的远离所述基板的一侧,依次形成半导体层、第一绝缘层和导电层;去除所述光刻胶层,以获得有源层、栅极绝缘层和栅极;其中,所述基板和缓冲层由透光材料形成。
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