[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：

在基板的一侧依次形成缓冲层和图形化后的源漏电极，且所述源漏电极不被紫外线穿过；

在所述缓冲层和源漏电极的远离所述基板的一侧，形成光刻胶层，且所述光刻胶层由正性光刻胶形成；

从所述基板远离所述光刻胶层的一侧，对所述光刻胶层进行曝光和显影处理，以得到光刻胶图案；

在所述缓冲层和所述光刻胶图案的远离所述基板的一侧，依次形成半导体层、第一绝缘层和导电层；

去除所述光刻胶层，以获得有源层、栅极绝缘层和栅极；

其中，所述基板和缓冲层由透光材料形成。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述基板的材料包括玻璃、石英和柔性材料的至少一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述缓冲层的材料包括SiO₂、SiN_x和SiON_x的至少一种。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其特征在于，所述制作方法在去除所述光刻胶层之后进一步包括：

在所述源漏电极和所述栅极的远离所述基板的一侧，沉积第二绝缘层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源漏电极、所述半导体层、所述第一绝缘层和所述导电层是各自独立地通过沉积的方法形成的。

6.根据权利要求1～3或5中任一项所述的方法，其特征在于，去除所述光刻胶层的方法为剥离法。

7.一种薄膜晶体管，其特征在于，通过权利要求1～6任一项所述的方法制作的，且所述薄膜晶体管包括基板、缓冲层、源漏电极、有源层、栅极绝缘层和栅极；

所述缓冲层覆盖所述基板的一个表面，所述源漏电极设置在所述缓冲层远离所述基板的表面，且所述源漏电极不被紫外线穿过；

所述有源层设置在所述缓冲层远离所述基板的表面，且所述有源层和所述源漏电极在所述基板上的正投影无交叠；

所述栅极绝缘层和所述栅极层叠设置在所述有源层远离所述基板的表面，并且，所述栅极绝缘层在所述基板上的正投影、所述栅极在所述基板上的正投影都与所述有源层在所述基板上的正投影重合。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求7所述的薄膜晶体管。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的阵列基板。