[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710319577.2 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107302031B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 栃林克明;日向野聪;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明提供一种高可靠性的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。在具有在氧化物半导体膜上设置有用作沟道保护膜的绝缘层的底栅结构的晶体管的半导体装置中，通过在形成以接触于氧化物半导体膜的方式设置的绝缘层及/或源电极层及漏电极层之后，进行杂质去除处理，可以防止蚀刻气体中的元素作为杂质残留在氧化物半导体膜的表面。氧化物半导体膜表面中的杂质浓度为5×10 |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；所述氧化物半导体膜上的绝缘层，所述绝缘层与所述栅电极层重叠；所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上的源电极层；以及所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上的漏电极层，其中，所述源电极层和所述漏电极层的每一个在沟道宽度方向的长度小于所述氧化物半导体膜在所述沟道宽度方向的长度，并且其中，所述氧化物半导体膜中的氯浓度低于或等于5x1018atoms/cm3。
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