[发明专利]具有低阈值电压的FINFET变容器及其制造方法有效
| 申请号： | 201710299984.1 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107425066B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 蔡铺桓;蔡汉旻;陈家忠;黄崎峰;梁其翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了一种具有低阈值电压的FinFET变容器及其制造方法。本发明公开的方法包括提供位于衬底上方且具有沟道区、源极区和漏极区的半导体层。该方法包括在半导体层中形成阱以具有第一掺杂剂、以及将第二掺杂剂注入到阱中。第一掺杂剂和第二掺杂剂为相反的掺杂类型。阱的第一部分具有的第二掺杂剂的浓度高于第一掺杂剂的浓度。阱的位于第一部分下面的第二部分具有的第一掺杂剂的浓度高于第二掺杂剂的浓度。该方法还包括在沟道区上方形成栅极堆叠件、以及在源极区和漏极区中形成源极部件和漏极部件。阱的第一部分电连接源极部件和漏极部件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阈值 电压 finfet 容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有位于衬底上方的半导体层的前体，所述半导体层具有沟道区和位于所述沟道区的相对两侧上的源极区和漏极区；在所述半导体层中形成阱，所述阱具有第一掺杂剂；将第二掺杂剂注入到所述阱中，所述第二掺杂剂和所述第一掺杂剂具有相反的掺杂类型，所述阱的第一部分具有的所述第二掺杂剂的浓度高于所述第一掺杂剂的浓度，所述阱的位于所述第一部分下面的第二部分具有的所述第一掺杂剂的浓度高于所述第二掺杂剂的浓度；在所述沟道区上方形成栅极堆叠件；以及在所述源极区和所述漏极区中形成源极部件和漏极部件，其中，所述阱的所述第一部分电连接所述源极部件和所述漏极部件。
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