[发明专利]用于在衬底处理系统中对准测量装置的系统和方法在审
| 申请号： | 201710197924.9 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107403745A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·穆瑟尔曼;安德鲁·D·贝利三世;德米特里·奥帕伊茨 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/66;H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人： | 樊英如,张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于在衬底处理系统中对准测量装置的系统和方法。衬底处理系统中的衬底支撑件包括布置成支撑衬底的内部部分，围绕所述内部部分的边缘环以及控制器。为了选择性地使所述边缘环接合所述衬底并使所述衬底倾斜，所述控制器控制至少一个致动器以升高和降低所述边缘环与升高和降低所述衬底支撑件的所述内部部分中的至少一种。当衬底倾斜时，控制器基于从衬底的表面反射的信号来确定衬底处理系统中的测量装置的对准。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 处理 系统 对准 测量 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理系统中的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：内部部分，其布置成支撑衬底；边缘环，其围绕所述内部部分；以及控制器，为了选择性地使所述边缘环接合所述衬底并使所述衬底倾斜，所述控制器控制至少一个致动器以(i)升高和降低所述边缘环与(ii)升高和降低所述衬底支撑件的所述内部部分中的至少一种，以及当所述衬底倾斜时，所述控制器基于从所述衬底的表面反射的信号，确定所述衬底处理系统中的测量装置的对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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