[发明专利]双向半导体封装件

摘要

提供了一种双向半导体封装件。该双向半导体封装件包括：下部直接覆铜(DBC)基板，包括第一基底以及结合至第一基底的上表面和下表面的第一图案层；引线框，安装在下部DBC基板的上表面上；半导体芯片，安装在引线框的上表面上；上部DBC基板，包括第二基底以及结合至第二基底的上表面和下表面的第二图案层；缓冲层，其一端焊接在上部DBC基板的下表面上且另一端焊接在引线框的上表面上的安装了半导体芯片的区域以外的剩余区域的上表面上；缓冲线，其一端焊接在位于半导体芯片的一个方向上的区域的上表面上并且另一端焊接在位于半导体芯片的另一方向上的区域的上表面上；以及导线，其将下部DBC基板的上表面电连接至半导体芯片。

主权项

1.一种双向半导体封装件，包括：下部直接覆铜基板，包括由陶瓷制成的第一基底以及结合至所述第一基底的上表面和下表面的第一图案层；引线框，安装在所述下部直接覆铜基板的上表面上；半导体芯片，安装在所述引线框的上表面上；上部直接覆铜基板，包括由陶瓷制成的第二基底以及结合至所述第二基底的上表面和下表面的第二图案层，其中，所述上部直接覆铜基板沿向上方向与所述下部直接覆铜基板间隔开；缓冲层，所述缓冲层的一端焊接在所述上部直接覆铜基板的下表面上并且所述缓冲层的另一端焊接在所述引线框的上表面上的安装了所述半导体芯片的区域以外的剩余区域的上表面上，其中，所述缓冲层支撑所述下部直接覆铜基板与所述上部直接覆铜基板之间的间隙；缓冲线，沿横向方向与所述缓冲层间隔开，并且所述缓冲线的一端焊接在位于所述半导体芯片的一个方向上的区域的上表面上并且所述缓冲线的另一端焊接在位于所述半导体芯片的另一方向上的区域的上表面上，其中，所述缓冲线具有线型截面；以及导线，被配置为将所述下部直接覆铜基板的上表面电连接至所述半导体芯片，其中，所述缓冲线的所述一端与所述另一端之间的部分与所述上部直接覆铜基板的下表面接触，并且由所述半导体芯片生成的热量传递至所述上部直接覆铜基板。