[发明专利]N型场效应薄膜晶体管及其制作方法、CMOS反相器及其制作方法有效
| 申请号： | 201710183417.X | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN108630760B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 许启启;徐文亚;周春山;赵建文;崔铮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型场效应薄膜晶体管，其包括设置在基底上的第一P型场效应薄膜晶体管和设置于第一P型场效应薄膜晶体管的第一有源层上的极性转换膜。本发明还公开了上述N型场效应薄膜晶体管的制作方法。本发明通过在P型场效应薄膜晶体管的有源层上打印极性转换墨水继而成膜生成极性转换膜，即可对P型场效应薄膜晶体管进行极性转换，获得性能良好的N型场效应薄膜晶体管。本发明还提供了一种基于上述N型场效应薄膜晶体管的CMOS反相器及其制作方法，通过电连接上述获得的N型场效应薄膜晶体管和第二P型场效应薄膜晶体管，即可获得稳定性好、增益高、噪声容限大、功耗低的CMOS反相器。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 薄膜晶体管 及其 制作方法 cmos 反相器 | ||
【主权项】：
1.一种N型场效应薄膜晶体管，其特征在于，包括设置于基底上的第一P型场效应薄膜晶体管和设置于所述第一P型场效应薄膜晶体管的第一有源层上的极性转换膜。
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