[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

在一种制造半导体器件的方法中，隔离图案可以形成在衬底上以限定多个有源图案。有源图案可以从隔离图案凸出。初始多晶硅层可以形成在有源图案上以填充有源图案中的相邻有源图案之间的间隙。无导电性的离子可以被注入到初始多晶硅层中以形成无空隙的多晶硅层。有源图案在离子的注入期间维持它们的结晶状态。多晶硅层可以被图案化以在有源图案上形成虚设栅结构。源极/漏极区可以形成在有源图案的与虚设栅结构的侧面相邻的上部分处。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成隔离图案以限定晶体材料的多个有源图案，所述有源图案从所述隔离图案凸出并且彼此间隔开使得间隙存在于所述有源图案中的相邻有源图案之间；在所述有源图案上形成初始第一多晶硅层以填充所述间隙；使用电中性的掺杂剂离子注入，所述掺杂剂注入到所述初始第一多晶硅层中以形成在其中无空隙的第一多晶硅层，其中所述有源图案的结晶性在所述离子注入期间被维持；图案化所述第一多晶硅层以在所述有源图案上形成虚设栅结构；以及在所述有源图案的与所述虚设栅结构的侧面相邻的上部分处形成源极/漏极区。