[发明专利]一种半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710160732.0 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN108630545A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 蒙韬;陈彦伯;荣楠;吴承欢 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括:提供半导体衬底，所述半导体衬底的源漏区形成有凹槽；在所述凹槽的底部和侧壁上形成内衬层；在所述内衬层的表面形成种子层。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，首先在所述凹槽的底部和侧壁上形成内衬层，然后在所述内衬层的表面形成种子层，采用上述方法可以有效减少半导体器件表面的颗粒数量，并且避免种子层厚度偏薄的情况发生，从而保证半导体器件的性能稳定，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 内衬层 种子层 表面形成 侧壁 衬底 半导体 制作 半导体器件表面 产品良率 有效减少 源漏区 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底的源漏区形成有凹槽；在所述凹槽的底部和侧壁上形成内衬层；在所述内衬层的表面形成种子层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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