[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710142740.2 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN108573873B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 梁海慧;翟云云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，将原先在干法刻蚀步骤之前的退火步骤调整到干法刻蚀步骤和湿法刻蚀步骤之间，一方面可以激活剩余的轻掺杂源/漏区中的掺杂离子，另一方面还可以修复干法刻蚀对开口处的侧墙底部及垫氧化层等的损伤，以避免湿法刻蚀由于刻蚀掉损伤部分而造成的半导体衬底过刻蚀问题，从而改善后续形成的源/漏区应力层的负载效应，避免相邻两个栅极之间短路，提高器件性能以及器件良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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