[发明专利]半导体封装及其制造方法有效
| 申请号： | 201710130042.0 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108400119B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 施信益 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体封装及其制造方法，半导体封装包含至少一个半导体元件、第一重分布层、第一铸型化合物、第二铸型化合物、导电通孔以及第二重分布层。第一重分布层设置于半导体元件下方，且电性连接至半导体元件。第一铸型化合物设置于第一重分布层上方并环绕半导体元件。第二铸型化合物环绕第一重分布层与第一铸型化合物的至少一个部分。多个导电通孔延伸过第二铸型化合物。第二重分布层设置于第二铸型化合物远离第一重分布层的表面。第二重分布层经由多个导电通孔电性连接至第一重分布层。通过此半导体封装，半导体产品可更兼容的整合，并在更微型化下提供更佳的效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装，其特征在于，包含：至少一个半导体元件；第一重分布层，设置于所述半导体元件下方并电性连接至所述半导体元件；第一铸型化合物，设置于所述第一重分布层上方并环绕所述半导体元件；第二铸型化合物，环绕所述第一重分布层与所述第一铸型化合物的至少一部分；多个导电通孔，延伸过所述第二铸型化合物；以及第二重分布层，设置于所述第二铸型化合物远离所述第一重分布层的表面下方且经由所述多个导电通孔电性连接至所述第一重分布层。
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