[发明专利]半导体封装及其制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体封装及其制造方法，半导体封装包含至少一个半导体元件、第一重分布层、第一铸型化合物、第二铸型化合物、导电通孔以及第二重分布层。第一重分布层设置于半导体元件下方，且电性连接至半导体元件。第一铸型化合物设置于第一重分布层上方并环绕半导体元件。第二铸型化合物环绕第一重分布层与第一铸型化合物的至少一个部分。多个导电通孔延伸过第二铸型化合物。第二重分布层设置于第二铸型化合物远离第一重分布层的表面。第二重分布层经由多个导电通孔电性连接至第一重分布层。通过此半导体封装，半导体产品可更兼容的整合，并在更微型化下提供更佳的效能。

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装及其制造方法。

背景技术

通过半导体封装，半导体产品可更兼容的整合，并在更微型化下提供更佳的效能。因此，发展制造半导体封装的方法，诸如引线接合、覆晶封装、晶圆级封装以及面板级封装以满足不同要求。一些制造半导体封装的方法可采用重布层以组装半导体封装的元件并扇出埋于半导体封装内的半导体元件。然而，采用的重布层的连接配置难以适应于由不同封装技术所制成的半导体封装，且可能大幅地降低传输信号或能量进入封装的半导体元件的效率；且更进一步来说，失效的传输可能进一步产生累积于半导体封装内的热能。因此，半导体封装可能会运作的更没效率。因此，如上所述的现行半导体封装结构与其制造方法，明显存在不便与缺陷，需要进一步的改善。为解决上述问题，此领域中的一般技术人员已致力于找出解答，而问题仍缺少合适的解答。因此，有效处理上述问题为重要的研发课题，且也为此领域中所期望的进步。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可更兼容的整合，并在更微型化下提供更佳的效能半导体封装及其制造方法。

为实现上述目的，本发明提供一种半导体封装。半导体封装包含至少一个半导体元件、第一重分布层、第一铸型化合物、第二铸型化合物、导电通孔以及第二重分布层。第一重分布层设置于半导体元件下方，且电性连接至半导体元件。第一铸型化合物设置于第一重分布层上方且环绕半导体元件。第二铸型化合物环绕第一重分布层与第一铸型化合物的至少一个部份。导电通孔延伸过第二铸型化合物。第二重分布层设置于第二铸型化合物远离第一重分布层的表面。第二重分布层经由导电通孔电性连接至第一重分布层。

本发明提供一种用于制造半导体封装的方法。此方法包含：提供工件，其包含第一重分布层、导电通孔以及第一基材，其中导电通孔延伸进第一基材，第一重分布层设置于第一基材上并电性连接至导电通孔；随后，在第一重分布层远离导电通孔侧设置至少一个半导体元件，且此半导体元件连接至第一重分布层；随后，形成第一铸型化合物以环绕半导体元件；随后，移除第一基材；随后，形成第二铸型化合物以环绕第一重分布层与第一铸型化合物的至少一部分，其中导电通孔暴露于第二铸型化合物远离介电层的表面上；然后在第二铸型化合物远离第一重分布层的表面上形成第二重分布层并经由导电通孔电性连接至第一重分布层。

本发明的半导体封装及其制造方法，其半导体封装可更兼容的整合，并在更微型化下提供更佳的效能。

应了解后续的整体详述与下文中的实施细节，系举例并旨为提供所请求发明的深入解释。

附图说明

图1为绘示本发明一实施方式的半导体封装的剖面图。

图2为绘示本发明一实施方式的半导体封装制造法的流程图。

图3至图15为绘示本发明一实施方式的半导体封装在不同阶段的简化片段剖面图。

具体实施方式