[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710109194.2 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106887457B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 山口直 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种半导体器件。其中通过自对准硅化工艺形成金属硅化物层的半导体器件在可靠性上得到改善。通过根据局部反应方法的自对准硅化物工艺，在栅电极、n |
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| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：p型半导体层，设置在半导体衬底的主表面的第一区域中；n型半导体层，设置在所述半导体衬底的所述主表面的第二区域中；第一硅化物层，形成在所述p型半导体层的上表面之上且包含Ni和Pt；以及第二硅化物层，形成在所述n型半导体层的上表面之上且包含Ni和Pt，其中，在所述第一硅化物层的底表面中的Pt的浓度比在所述第二硅化物层的底表面中的Pt的浓度高。
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