[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供了半导体器件的制造方法。半导体器件的制造方法包括：加载第一布局，其中第一布局包括第一有源区和第一虚设区，并且第一有源区包括具有第一宽度的鳍型图案设计；通过用纳米线结构设计替代鳍型图案设计而产生第二布局；以及通过使用第二布局而形成纳米线结构设计，其中第二布局包括与第一有源区相同尺寸的第二有源区以及与第一虚设区相同尺寸的第二虚设区，纳米线结构设计的纳米线结构具有大于第一宽度的第二宽度。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：加载第一布局，其中所述第一布局包括第一有源区和第一虚设区，并且所述第一有源区包括具有多个鳍结构的鳍型图案设计，每个鳍结构具有第一宽度；通过用纳米线结构设计替代所述鳍型图案设计而产生第二布局；以及通过使用所述第二布局而形成所述纳米线结构设计，其中所述第二布局包括具有与所述第一有源区相同尺寸的第二有源区以及具有与所述第一虚设区相同尺寸的第二虚设区，其中所述纳米线结构设计的纳米线结构每个具有大于所述第一宽度的第二宽度，并且所述纳米线结构设计包括：在第一方向上延伸的第一纳米线结构；第二纳米线结构，在所述第一方向上延伸并且形成在所述第一纳米线结构上且与所述第一纳米线结构间隔开，栅电极，围绕所述第一纳米线结构的周边并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，栅间隔物，形成在所述栅电极的侧壁上并且包括彼此面对的内侧壁和外侧壁，所述栅间隔物的所述内侧壁面对所述栅电极的侧表面，以及源极/漏极外延层，在所述栅电极的至少一侧上并且连接到所述第一纳米线结构。