[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710083261.8 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN108447906A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市唐家湾镇港湾大*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体器件以及制作方法，该功率半导体器件包括：基底；设置在基底上的氮化镓层，氮化镓层包括栅极区、源极区和漏极区；栅极区的表面设置有栅极，源极区表面设置有源极，漏极区表面设置有漏极；栅极包括平行且相对设置的第一栅极区域和第二栅极区域；以及连接第一栅极区域和第二栅极区域的第三栅极区域，第三栅极区域为曲面结构；漏极位于第一栅极区域与第二栅极区域之间；源极包括平行且相对设置的第一源极区域和第二源极区域，第一源极区域与第一栅极区域对应设置，第二源极区域和第二栅极区域对应设置。本发明技术方案解决现有技术中在栅极的曲面部分容易发生表面击穿的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极区域 源极区域 功率半导体器件 表面设置 氮化镓层 相对设置 漏极区 源极区 栅极区 基底 漏极 源极 平行 表面击穿 方案解决 曲面结构 制作 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：基底；设置在所述基底上的氮化镓层，所述氮化镓层包括栅极区、源极区和漏极区；所述栅极区的表面设置有栅极，所述源极区表面设置有源极，所述漏极区表面设置有漏极；所述栅极包括平行且相对设置的第一栅极区域和第二栅极区域；以及连接所述第一栅极区域和所述第二栅极区域的第三栅极区域，所述第三栅极区域为曲面结构；所述漏极位于所述第一栅极区域与所述第二栅极区域之间；所述源极包括平行且相对设置的第一源极区域和第二源极区域，所述第一源极区域与所述第一栅极区域对应设置，所述第二源极区域和所述第二栅极区域对应设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英诺赛科（珠海）科技有限公司，未经英诺赛科（珠海）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710083261.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有沟槽隔离栅极结构的超结IGBT
- 下一篇：晶体管及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
