[发明专利]包括温度传感器的半导体装置及其制造方法和电路有效
| 申请号： | 201710073726.1 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN107086247B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·迈泽尔;蒂尔·施勒塞尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/34;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李春晖;陈炜 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置(1)包括有第一主表面(110)的半导体衬底(100)中的晶体管(10)，其包括源极区(201)、电连至源极区(201)且有第一和第二源极接触部分(202、130)的源极接触件和与本体区(220)相邻的第一主表面中的栅极沟槽(212)中的栅极(210)。栅极(210)配置成控制本体区(220)的沟道导电性。本体区(220)和漂移区(260)沿平行于第一主表面的第一方向布置在源极区(201)与漏极区(205)之间。第二源极接触部分(130)布置在衬底(100)的第二主表面(120)处。第一源极接触部分(202)包括与源极区(201)直接接触的源极导电材料(115)和衬底(100)在该材料(115)与第二源极接触部分(130)之间的部分。装置(1)包括衬底(100)中的温度传感器(30)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 温度传感器 半导体 装置 及其 制造 方法 电路 | ||
【主权项】：
一种半导体装置(1)，包括具有第一主表面(110)的半导体衬底(100)中的晶体管(10)，所述晶体管(10)包括：源极区(201)；源极接触件，其电连接到所述源极区(201)，所述源极接触件包括第一源极接触部分(202)和第二源极接触部分(130)；以及在与本体区(220)相邻的所述第一主表面中的栅极沟槽(212)中的栅极(210)，所述栅极(210)被配置成控制所述本体区(220)中的沟道的导电性，所述本体区(220)和漂移区(260)沿着平行于所述第一主表面的第一方向而被布置在所述源极区(201)与漏极区(205)之间，所述第二源极接触部(130)被布置在所述半导体衬底(100)的第二主表面(120)处，所述第一源极接触部(202)包括与所述源极区(201)直接接触的源极导电材料(115)，所述第一源极接触部(202)还包括所述半导体衬底(100)的在所述源极导电材料(115)与所述第二源极接触部分(130)之间的部分，所述半导体装置(1)还包括在所述半导体衬底(100)中的温度传感器(30)。
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