[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种用于形成局部互连的方法和结构，而不通过上面的金属层来路由局部互连。在一些实施例中，在至少一个器件的栅极堆叠件上方形成第一介电层并且在至少一个器件的接触金属层上方形成第二介电层。在各个实施例中，实施选择性蚀刻工艺以去除第二介电层并暴露接触金属层，而基本上不去除第一介电层。在一些实例中，在至少一个器件上方沉积金属通孔层。金属通孔层接触接触金属层并提供局部互连结构。在一些实施例中，形成位于局部互连结构上面的多层级互连网络。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在至少一个器件的栅极堆叠件上方形成第一介电层并且在所述至少一个器件的接触金属层上方形成第二介电层；实施选择性蚀刻工艺以去除所述第二介电层并暴露所述接触金属层，而不去除所述第一介电层；在所述至少一个器件上方形成金属通孔层，其中，所述金属通孔层接触所述接触金属层，并且其中，所述金属通孔层提供局部互连结构；以及在所述局部互连结构上面形成多层级互连网络。