[发明专利]一种图形衬底半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710040684.1 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN108336641A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 朱振;张新;夏伟;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/20;H01S5/30 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种图形衬底半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源层、上包层和接触层，衬底的与下包层接触面上排布有梯形台，接触层上方设置有绝缘层，绝缘层上表面设置有上电极，衬底下表面设置有下电极。其制备方法的步骤包括：（1）在排布有梯形台的图形衬底上依次生长下包层、有源层、上包层和接触层；（2）在接触层上方生长绝缘层；（3）在绝缘膜上形成条状电流注入区；（4）减薄衬底背面；在绝缘层上表面蒸镀上电极，在衬底下表面蒸镀下电极；（5）解理成巴条；（6）解理成管芯。本发明既能形成侧向折射率波导，降低阈值电流，又能形成非吸收窗口，提高腔面COD功率；简化了半导体激光器的芯片制程，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 接触层 半导体激光器 下包层 绝缘层 绝缘层上表面 衬底下表面 电极 上包层 梯形台 下电极 解理 排布 源层 蒸镀 制备 条状电流注入区 侧向折射率 衬底背面 依次设置 阈值电流 非吸收 绝缘膜 生长 巴条 波导 管芯 减薄 腔面 制程 生产成本 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种图形衬底半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源层、上包层和接触层，其特征是：衬底的与下包层接触面上排布有梯形台，梯形台横向平行于衬底的解理面，梯形台纵向垂直于衬底的解理面，且解理面是半导体激光器的腔面；接触层上方设置有绝缘层，绝缘层上表面设置有上电极，衬底下表面设置有下电极。
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