[发明专利]沟槽型超级结及其制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型超级结，包括：多个沟槽，各沟槽中填充有第二导电类型的第一外延层，第一外延层将体积最小的沟槽趋于完全填满，在第一外延层未完全填充的沟槽中还填充有第二外延层，第二外延层叠加于第一外延层的表面并将各沟槽完全填满。第二外延层为不掺杂或进行掺杂浓度小于第一外延层的第二导电类型掺杂，第二外延层和第一外延层的掺杂不同使得第二导电类型薄层的总掺杂量由第一外延层决定，从而降低各沟槽的体积差异对超级结的击穿电压的影响从而使超级结的击穿电压的面内均匀性提高。本发明还公开了一种沟槽型超级结的制造方法。本发明能提高超级结的击穿电压的面内均匀性，工艺简单，对超级结工艺平台的量产化有着重要的意义。

主权项

1.一种沟槽型超级结，其特征在于，包括：多个形成于第一导电类型外延层中的沟槽，所述第一导电类型外延层形成于半导体衬底表面，各所述沟槽采用相同的光刻刻蚀工艺形成，各所述沟槽的开口尺寸和侧面倾斜角度存在有所述光刻刻蚀工艺引起的误差，各所述沟槽的开口尺寸和侧面倾斜角度的误差使得同一所述半导体衬底面内的各所述沟槽之间存在体积差异；各所述沟槽中填充有第二导电类型的第一外延层，各所述沟槽的所述第一外延层同时形成，所述第一外延层将体积最小的所述沟槽完全填满，在所述第一外延层未完全填充的所述沟槽中还填充有第二外延层，所述第二外延层叠加于所述第一外延层的表面并将各所述沟槽完全填满；由填充于各所述沟槽中的所述第一外延层和所述第二外延层组成第二导电类型薄层，由各所述沟槽之间的所述第一导电类型外延层组成第一导电类型薄层，由所述第一导电类型薄层和所述第二导电类型薄层交替排列组成超级结；所述第二外延层为不掺杂或进行掺杂浓度小于所述第一外延层的第二导电类型掺杂，所述第二外延层和所述第一外延层的掺杂不同使得所述第二导电类型薄层的总掺杂量由所述第一外延层决定，从而降低各所述沟槽的体积差异对所述超级结的击穿电压的影响从而使所述超级结的击穿电压的面内均匀性提高。