[发明专利]由诸如FINFET的薄垂直半导体结构形成的高密度电容器有效
申请号: | 201680027526.6 | 申请日: | 2016-05-02 |
公开(公告)号: | CN107683528B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 史中海;M·L·塔拉比亚 | 申请(专利权)人: | 思睿逻辑国际半导体有限公司 |
主分类号: | H01L29/66 | 分类号: | H01L29/66;H01L23/48;H01L29/775 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;夏青 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 可以在集成电路的衬底中制造垂直结构,且该垂直结构用于形成集成电路的高密度电容。这些薄垂直结构可以被配置成用作电容器中的绝缘体。可以使用诸如FinFET(鳍结构场效应晶体管)技术和制造过程的三维半导体制造技术来制造垂直结构。基于薄垂直结构的电容器可以与其它电路集成在一起,所述其他电路可以利用诸如FinFET晶体管的薄垂直结构。 | ||
搜索关键词: | 诸如 finfet 垂直 半导体 结构 形成 高密度 电容器 | ||
【主权项】:
一种使用三维半导体制造技术来制造集成电路的方法,包括:在衬底上形成薄垂直半导体结构;在所述薄垂直半导体结构上形成电介质;以及在所述电介质周围形成电极以生成至少一个电容器。
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