[实用新型]功率器件有效
| 申请号： | 201621164000.6 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN206422069U | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 张邵华 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L27/02;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 | 代理人： | 蔡纯,张靖琳 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种功率器件。所述功率器件包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一掺杂区；位于所述第一掺杂区的第一区域中的多个第二掺杂区；以及位于所述第一掺杂区的第二区域中的多个第三掺杂区，其中，所述多个第二掺杂区彼此隔开第一预定间距，与所述第一掺杂区形成第一电荷补偿结构，所述第一电荷补偿结构和所述半导体衬底位于电流通道上，所述多个第三掺杂区彼此隔开第二预定间距，与所述第一掺杂区形成第二电荷补偿结构，所述第二电荷补偿结构用于分散所述功率器件连续的表面电场。该功率器件不仅可以稳定器件的耐压，提高可靠性，而且可以降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种功率器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一掺杂区；位于所述第一掺杂区的第一区域中的多个第二掺杂区；以及位于所述第一掺杂区的第二区域中的多个第三掺杂区，其中，所述半导体衬底和所述第一掺杂区分别为第一掺杂类型，所述多个第二掺杂区和所述多个第三掺杂区分别为第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反，所述多个第二掺杂区彼此隔开第一预定间距，与所述第一掺杂区形成第一电荷补偿结构，所述第一电荷补偿结构和所述半导体衬底位于电流通道上，所述多个第三掺杂区彼此隔开第二预定间距，与所述第一掺杂区形成第二电荷补偿结构，所述第二电荷补偿结构用于分散所述功率器件连续的表面电场。
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